24,750.78
+146.49
(+0.60%)
24,678
-58
(-0.23%)
低水73
8,225.40
+50.04
(+0.61%)
4,405.50
+94.76
(+2.20%)
2,665.13億
3,911.87
+36.27
(+0.936%)
4,507.39
+47.23
(+1.059%)
13,640.87
+230.96
(+1.722%)
2,648.76
+23.87
(+0.91%)
81,347.8300
+463.9700
(0.574%)
GXO Logistics
  • 45.920
  • -0.660
  • (-1.417%)
  • 最高
  • 46.490
  • 最低
  • 45.550
  • 成交股數
  • 1.48百萬
  • 成交金額
  • 1.95千萬
  • 前收市
  • 46.580
  • 開市
  • 46.490
  • 盤後
  • 45.505
  • -0.416
  • (-0.905%)
  • 最高
  • 46.590
  • 最低
  • 45.505
  • 成交股數
  • 81.35萬
  • 成交金額
  • 4.86百萬
  • 買入
  • 45.000
  • 賣出
  • 47.820
  • 市值
  • 53.42億
  • 貨幣
  • USD
  • 交易宗數
  • 10480
  • 每宗成交金額
  • 1,858
  • 波幅
  • 5.965%
  • 交易所
  • NYSE
  • 1個月高低
  • 52周高低
  • 市盈率/預期
  • 41.22/13.64
  • 周息率/預期
  • --/--
  • 10日股價變動
  • -4.967%
  • 風險率
  • 4.355
  • 振幅率
  • 3.458%
  • 啤打系數
  • 1.389

報價延遲最少15分鐘。美東時間: 18/09/2026 19:59:47
紅色閃爍圓點標示當前所處的交易時段。

08/09/2026 20:53

美股動向 | ASML擬研發新一代光刻機,瞄準大型AI數據中心晶片

  《經濟通通訊社8日專訊》荷蘭晶片設備巨頭ASML(US.ASML)計劃與英偉達(US.NVDA)、谷歌(US.GOOG)、英特爾(US.INTC)、台積電(US.TSM)及三星等主要晶片商合作,推進更大尺寸掩模版技術,以突破下一代High-NA EUV(高數值孔徑極紫外光刻)設備的晶片尺寸限制,瞄準AI數據中心大型晶片需求。

 

  ASML現有EUV設備可支援面積約800平方毫米的晶片,但High-NA EUV採用較小掩模版,曝光面積受限,難以直接應付部分大型AI加速器的製造需求。ASML目前正研究12吋掩模版方案,計劃於2031年展示試驗生產線,2033年具備高量產能力。公司技術主管表示,新方案有望提升生產效率最多約40%。

 

  ASML官方資料顯示,High-NA EUV採用0.55數值孔徑,最高解析度可達8納米,現正推進量產應用。(kk)

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