26,111.84
+432.06
(+1.68%)
25,871
-69
(-0.27%)
低水241
8,805.60
+160.79
(+1.86%)
4,910.02
+82.83
(+1.72%)
2,582.81億
4,107.51
+28.87
(+0.708%)
4,810.35
+52.14
(+1.096%)
15,120.92
+290.46
(+1.959%)
2,803.94
+25.80
(+0.93%)
77,165.2200
+822.4400
(1.077%)
台積電
  • 392.340
  • -12.640
  • (-3.121%)
  • 最高
  • 397.870
  • 最低
  • 384.700
  • 成交股數
  • 1.47千萬
  • 成交金額
  • 30.10億
  • 前收市
  • 404.980
  • 開市
  • 392.120
  • 盤前
  • 392.850
  • 0.510
  • (+0.130%)
  • 最高
  • 406.780
  • 最低
  • 388.395
  • 成交股數
  • 29.75萬
  • 成交金額
  • 5.26千萬
  • 買入
  • 392.720
  • 賣出
  • 392.980
  • 市值
  • 21,003.88億
  • 貨幣
  • USD
  • 交易宗數
  • 232540
  • 每宗成交金額
  • 12,943
  • 波幅
  • 9.523%
  • 交易所
  • NYSE
  • 1個月高低
  • 52周高低
  • 市盈率/預期
  • 38.92/20.88
  • 周息率/預期
  • 0.82%/0.87%
  • 10日股價變動
  • --
  • 風險率
  • 58.202
  • 振幅率
  • 3.366%
  • 啤打系數
  • 1.346

報價延遲最少15分鐘。美東時間: 29/04/2026 08:47:00
紅色閃爍圓點標示當前所處的交易時段。

26/03/2026 22:24

美股動向 | SK海力士擬採台積電3納米製程生產HBM4E

  《經濟通通訊社26日專訊》記憶體巨企SK海力士正積極評估採用台積電(US.TSM)最先進的3納米製程,來製造其第七代高頻寬記憶體(HBM4E)的邏輯晶片。此舉旨在縮小與三星電子在高效能產品上的差距。

 

  在上一代HBM4的競爭中,SK海力士為確保供貨穩定而選擇台積電12納米製程,對手三星則採用4納米邏輯晶片而取得效能優勢。為奪回技術主導權,SK海力士計劃在HBM4E世代將自家第六代10納米級DRAM核心與台積電3納米邏輯晶片進行異質整合。市場預期這項突破性的技術升級,將大幅推升即將推出的英偉達(US.NVDA)Vera Rubin Ultra等新一代AI加速器的運算極限。(kk)

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